MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
MOS管漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面:
(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
(2)漏源极间的穿通击穿
有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID。除了以上产品外,公司同时还供应有三端稳压芯片、稳压管等产品,我们公司具备有*实战的技术,专业的运营团队,为您创造以用户体验为前提的服务,服务的至善至美是我们永无止境的追求。因为以民为本,所以值得信赖;因为专业专职,所以值得选择.以上信息仅供参考,详情请致电相关工作人员为您解答。