MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管使用性能參數:
1.開啟電壓VT
·開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;
·標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V;
·通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2. 直流輸入電阻RGS
·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
·這一特性有時以流過柵極的柵流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
(2)漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中,其溝道長度較短,不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通后,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區,產生大的ID。
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