mos管和三极管相比优缺点

MOS的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，驱动复杂场效应管与三级管的比较：
1）场效应管是电压操控元件，而三级管是电流操控元件；
2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件；
3）场效应管灵活性比三级管好；
4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
场效应管（FET）是利用电场效应操控电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被广泛应用。
FET和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®G、e®S、c®D；由FET组成的扩大电路也和三极管扩大电路相类似，三极管扩大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流)，而FET扩大电路的场效应管栅极没有电流，所以FET扩大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。
FET组成的扩大电路和三极管扩大电路的主要区别在于：场效应管是电压操控型器件，靠栅源之间的电压变化来操控漏极电流的变化，扩大作用以跨导来体现；三极管是电流操控型器件，靠基极电流的变化来操控集电极电流的变化，扩大作用由电流扩大倍数来体现。

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