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关于MOS管内的寄生二极管
关于MOS管内的寄生二极管 
   MOS管的定义：场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P+表示，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。 把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发， 流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。 
   场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极一般制成对称的，漏极和源极可以互换使用。但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，因此这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。 
   MOS在半导体材料的层面上没有本质区别,当时在半导体器件设计时, 一般将衬底极与源极相连,因此MOSFET的开关性能与V_{GS}相关,只要V_{GS}超过阈值,就导通/截止(取决于耗尽型还是增强型)因此本质上S,D是由半导体器件制造时内部连接方式决定的.因此反接会导致短路。 
   D-S之间的二极管的作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 
另外：
   G,S间的寄生电容较小，一般在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，因此一般会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿.

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