目前,越来越多的IC芯片都需要低电压供电。随着功率变换器输出电压的降低,整流损耗成为变换器的主要损耗。为使变换器达到很高的效率,必须降低整流损耗。原有整流电路使用肖特基二极管作为整流二极管，但是由于导通压降在低压输出时候相对较大，引起的损耗也是我们不能接受的。于是我们采用低导通电阻的MOSFET 进行整流,这是提高变换器效率的一种有效途径。实现这一功能的电路就叫做同步整流电路。实现同步整流功能的MOSFET 称作同步整流管。 同步整流IC技术是通过控制功率MOSFET的驱动电路，来利用功率MOSFET实现整流功能的技术。一般驱动频率固定，可达200kHz以上，门极驱动可以采用交叉耦合(Cross-coupled)或外加驱动信号配合死区时间控制实现。
1)同步整流技术出现较早，但早期的技术很难转换为产品，这是由于当时驱动技术不成熟，可靠性不高，现在技术已逐步成熟，出现了专用同步整流驱动芯片，如IR1176等；
2)专用配套的低导通电阻功率MOSFET还未投放市场；
3)还未采用MOSFET并联肖特基二极管以降低寄生二极管的导通损耗；
4)在产品设计中没有解决分布电感对MOSFET开关损耗的影响。
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