MST1691能够支持DCM和Quasi-Resonant反激转换器，能够提高系统的效率。次级边导通时，电流首先通过功率MOSFET的体二极管，电路检测到SR电压比GND电压低约0.2V时，立即打开功率MOSFET，降低系统的导通损耗。当Ton超过约320ns时，功率MOSFET驱动的逻辑上拉会关闭，而后线性驱动器介入工作。当通过功率MOSFET的电流下降使得SR电压上升至约-30mV时，线性驱动器便会通过降低DRV的电压使MOSFET的阻抗增大，从而将SR端电压维持在-30mV左右。当电流接近0时，线性驱动器的调节无法将SR电压继续维持在-30mV，SR电压会继续上升，达到-12mV左右时，芯片会立即通过逻辑将功率MOSFET完全关断。功率MOSFET关闭后，MD1691需要检测到SR端电压达到约6V以上，且持续时间大于0.3us后，才认为是一次有效的原边导通；而后SR下降到-0.2后立刻打开MOS管；如未检测到有效的原边导通，但SR仍低于-0.2V，则需要等待大约1.7us后才打开MOS管。

u  消隐功能

       MST1691在功率MOSFET开启和关闭后都有消隐功能，确保无论开关都会持续一定时间。其中开启消隐时间为0.64us，关闭消隐时间设定为1.8us。

    MST1691欠压保护功能 (UVLO)

       当VCC降低到V_UVLO2以下时，电路处于睡眠模式，MOSFET不会被打开。在系统上电后的一段时间，由于VCC电压未达到V_UVLO1，功率MOSFET不会被打开，完全由功率MOSFET的体二极管进行续流，直到VCC电压超过V_UVLO1，芯片开始正常开关。