TP5000特性
■单节4.2V锰锂或3.6V磷酸铁锂电池充电
■内置功率MOSFET,开关型工作模式，器件发热少，外围简单
■可编程充电电流，0.1A--2A
■可编程预充电电流，10%--100%
■无需外接防倒灌肖特基二极管
■宽工作电压，*大达到9V
■两路LED充电状态指示
■芯片温度保护，过流保护，欠压保护
■电池温度保护、电池反接停机、短路保护
■开关频率800KHz，可用电感2.2uH-10uH
■自动再充电功能
■小于1％的充电电压控制精度
■涓流、恒流、恒压三段充电，保护电池
■采用QFN164mm*4mm超小型封装

TP5000***大额定值
■输入电源电压（VIN）：10V
■BAT：-4.2V～9V
■BAT短路持续时间：连续
■*大结温：145℃
■工作环境温度范围：-40℃～85℃
■贮存温度范围：-65℃～125℃
■引脚温度（焊接时间10秒）：260℃

TP5000.pdf