HT2201合泰存储器是一个1K位串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。 1024位存储器被组织成128字，每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。 HT2201是保证100万次擦除/写周期和40年的数据保存。

详情介绍

HT2201合泰存储器 - CMOS1K2线串行EEPROM
一般说明
HT2201合泰存储器是一个1K位串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。 1024位存储器被组织成128字，每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。 HT2201是保证100万次擦除/写周期和40年的数据保存。

特点

工作电压：2.2V〜5.5V
低功耗
- 操作：5MA*大。
- 待机：4uA*大。
内部组织：128x8
2线串行接口
写周期时间：5ms*大。
自动擦除前写操作
写与内置的定时器操作
40年的数据保留
每字106擦除/写周期
工业温度范围（-40℃至+85°C）
SOT-25封装

技术相关信息

其他相关信息