合泰存储器 - 深圳市美达微电子科技有限公司

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产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	HT2201合泰存储器 HT2201	HT2201合泰存储器是一个1K位串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。 1024位存储器被组织成128字，每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。 HT2201是保证100万次擦除/写周期和40年的数据保存。
	HT24LC64合泰存储器 HT24LC64	HT24LC64合泰存储器是一个64K位的2线串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。其65536位存储器组织成8192字，每字8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。 HT24LC64有1M的擦除/写周期和40年的数据保存的可靠性高耐力。
	HT24LC32合泰存储器 HT24LC32	HT24LC32合泰存储器是一个32K位的2线串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。其32768位存储器组织成4096字，每字8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。 HT24LC32有1M擦除/写周期和40年的数据保存的可靠性高耐力。特点
	HT24LC16合泰存储器 HT24LC16	HT24LC16合泰存储器是一个16K位串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。其16384位存储器被组织成2048字，每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。只有一个HT24LC16设备可以连接到相同的2线总线。 HT24LC16是保证1M的擦除/写周期和40年的数据保存。
	HT24LC08合泰存储器 HT24LC08	HT24LC08合泰存储器是一个8K位串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。其8192位存储器被组织成1024字，每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。两个HT24LC08设备可以连接到相同的2线总线。 HT24LC08是保证1M的擦除/写周期和40年的数据保存。
	HT24LC04合泰存储器 HT24LC04	HT24LC04合泰存储器是一个4K位串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。 4096位存储器被组织成512字，每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。相同的两线总线可连接多达4个HT24LC04设备。 HT24LC04是保证1M的擦除/写周期和40年的数据保存。
	HT24LC02合泰存储器 HT24LC02	HT24LC02合泰存储器是一个2K位的串行读/写非挥发性记忆体装置，采用CMOS浮栅工艺。其2048位存储器被组织成256字，每字为8位。使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压操作是必不可少的设备进行了优化。 800 HT24LC02设备可以连接到相同的两线总线。 HT24LC02是保证1M的擦除/写周期和40年的数据保存。
	HT93LC46合泰存储器 HT93LC46	HT93LC46合泰存储器是1000位的非易失性低电压，串行电可擦除可编程只读存储器设备使用的CMOS浮栅进程。其1024位内存组织成64个字的16位时， ORG的每个引脚连接到VCC或组织成128字的8位时，它是每个挂钩的VSS 。该器件适合用于使用在许多工业和商业应用的低功耗和低电压工作是必不可少的。

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