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贝岭电压检测芯片
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BL8506-70NSM电压检测芯片
BL8506-70NSM
BL8506-70NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-50NSM电压检测芯片
BL8506-50NSM
BL8506-50NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-45NSM电压检测芯片
BL8506-45NSM
BL8506-45NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-44NSM电压检测芯片
BL8506-44NSM
BL8506-44NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-42NSM电压检测芯片
BL8506-42NSM
BL8506-42NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-40NSM电压检测芯片
BL8506-40NSM
BL8506-40NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-39NSM电压检测芯片
BL8506-39NSM
BL8506-39NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-36NSM电压检测芯片
BL8506-36NSM
BL8506-36NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-35NSM电压检测芯片
BL8506-35NSM
BL8506-35NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-34NSM电压检测芯片
BL8506-34NSM
BL8506-34NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-33NSM电压检测芯片
BL8506-33NSM
BL8506-33NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-30NSM电压检测芯片
BL8506-30NSM
BL8506-30NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-27NSM电压检测芯片
BL8506-27NSM
BL8506-27NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-25NSM电压检测芯片
BL8506-25NSM
BL8506-25NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-24NSM电压检测芯片
BL8506-24NSM
BL8506-24NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-23NSM电压检测芯片
BL8506-23NSM
BL8506-23NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-22NSM电压检测芯片
BL8506-22NSM
BL8506-22NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-21NSM电压检测芯片
BL8506-21NSM
BL8506-21NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-20NSM电压检测芯片
BL8506-20NSM
BL8506-20NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
BL8506-19NSM电压检测芯片
BL8506-19NSM
BL8506-19NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片,检测电压 范围是0.9V~7V,每100mV为间隔(可根据客户需求定制),回滞电压典型值为4%, 工作电压范围极宽,为0.7V~10V?超低功耗,典型值IQ=500nA(VDD=3.0V),CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式,封装有SOT-23-3,SOT-23-5,SOT89-3,TO-92等 多种。
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