贝岭电压检测芯片 - 深圳市美达微电子科技有限公司

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产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	BL8506-70NSM电压检测芯片 BL8506-70NSM	BL8506-70NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-50NSM电压检测芯片 BL8506-50NSM	BL8506-50NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-45NSM电压检测芯片 BL8506-45NSM	BL8506-45NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-44NSM电压检测芯片 BL8506-44NSM	BL8506-44NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-42NSM电压检测芯片 BL8506-42NSM	BL8506-42NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-40NSM电压检测芯片 BL8506-40NSM	BL8506-40NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-39NSM电压检测芯片 BL8506-39NSM	BL8506-39NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-36NSM电压检测芯片 BL8506-36NSM	BL8506-36NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-35NSM电压检测芯片 BL8506-35NSM	BL8506-35NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-34NSM电压检测芯片 BL8506-34NSM	BL8506-34NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-33NSM电压检测芯片 BL8506-33NSM	BL8506-33NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-30NSM电压检测芯片 BL8506-30NSM	BL8506-30NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-27NSM电压检测芯片 BL8506-27NSM	BL8506-27NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-25NSM电压检测芯片 BL8506-25NSM	BL8506-25NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-24NSM电压检测芯片 BL8506-24NSM	BL8506-24NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-23NSM电压检测芯片 BL8506-23NSM	BL8506-23NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-22NSM电压检测芯片 BL8506-22NSM	BL8506-22NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-21NSM电压检测芯片 BL8506-21NSM	BL8506-21NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-20NSM电压检测芯片 BL8506-20NSM	BL8506-20NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。
	BL8506-19NSM电压检测芯片 BL8506-19NSM	BL8506-19NSM电压检测芯片是一款精度高达±2%的检测电压芯片，检测电压范围是0.9V~7V，每100mV为间隔(可根据客户需求定制)，回滞电压典型值为4%，工作电压范围极宽，为0.7V~10V?超低功耗，典型值IQ=500nA(VDD＝3.0V)，CMOS 和N沟道漏极开路两种输出形式，封装有SOT-23-3，SOT-23-5，SOT89-3，TO-92等多种。